1.CMOS与非门

电路结构如图所示

 如图所示，T1、 T3为两个串联的PMOS， T2、 T4为两个并联的NMOS.

A、B有一个为“0”时，T2、 T4至少有一个截止， T1、 T3至少有一个导通，故输出为高电平，Y＝1.

A、B同时为“1”时，T2、 T4同时导通， T1、 T3同时截止，故输出为低电平，Y＝0。

2. 或非门：

 如图所示，T1、 T3为两个并联的PMOS， T2、 T4为两个串联的NMOS。

 A、B有一个为“1”时，T2、 T4至少有一个导通， T1、 T3至少有一个截止，故输出为低电平，Y＝0。

A、B同时为“0”时，T2、 T4同时截止， T1、 T3同时导通故输出为高电平，Y＝1

3.带缓冲级的CMOS门电路

（以与非门为例）

①输出电阻RO受输入状态的影响；

②输出的高低电平受输入端数目的影响

       输入端数目愈多，输出为低电平时串联的导通电阻越多，低电平VOL越高；输出为高电平时，并联电阻也多，输出高电平VOH也提高

③ 输入状态不同对电压传输特性有影响，使T2、T4达到开启电压时，输入电压vI不同

改进电路均采用带缓冲级的结构，如图为带缓冲级的CMOS与非门电路

 输出为

 带缓冲级的CMOS门电路其输出电阻、输出高低电平均不受输入端状态的影响，电压传输特性更陡。

口诀

箭头向外Pmos，箭头向里Nmos。

串P并N为与非，串N并P为或非。