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一、无线充电发射芯片工作原理

无线充电发射芯片的核心功能是将直流电转换为高频交流信号，驱动发射线圈产生交变磁场。其核心模块包括：

1. 全桥/半桥逆变电路：由4个MOS管（全桥）或2个MOS管（半桥）组成，通过交替导通将直流电逆变为方波。

2. 谐振匹配网络：由发射线圈（电感）和谐振电容（LC）组成，滤除方波高次谐波，生成正弦信号。

3. 控制逻辑：集成PWM调制、频率跟踪、异物检测（FOD）等功能，确保高效能量传输。

二、内置MOS种类及导通时序

1. MOS类型：

   • 全桥拓扑：通常采用4个N-MOS管（如英飞凌BSC093N15NS5），优势为低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度。

   • 半桥拓扑：需搭配高侧驱动（如自举电路或电荷泵），适用于低成本方案。

2. 导通时序：

   • 全桥交替导通：对角线MOS管（Q1-Q4、Q2-Q3）交替导通，形成交变电流（图1）。

   • 死区时间（Dead Time）：在开关切换时插入纳秒级延迟（如200ns），防止直通短路。

   • 驱动频率：典型值为100-200kHz（如Qi标准为110-205kHz）。

三、线圈两端正弦信号生成机制

1. LC谐振滤波：

   • 发射芯片输出方波（含基波+