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RAM芯片的发展
简介RAM芯片的发展
一. RAM芯片的发展
1. SRAM
SRAM即静态随机存储器(Static Random-Access Memory),一开始是芯片内部RAM,后面因为应用需求需要外扩RAM。
例如 ,STM32F103/F407开发外扩1MB SRAM。IS62WV51216,这是一个16位宽的1MB的SRAM。
SRAM的缺点是:成本高,容量小。优点是速度高,一般能做到与CPU同样的频率。所以 。SRAM通常作为 SOC 的内部 RAM 使用或 Cache(高速缓存) 使用,比如 STM32 内存的 RAM 或 I.MX6U 内部的 OCRAM 都是 SRAM。
2. SDRAM
SDRAM 全称是 Synchronous Dynamic Random Access Memory,即同步动态随机存储器,“同步”的意思是 SDRAM 工作 需要时钟线,“动态”的意思是 SDRAM 中的数据需要不断的刷新来保证数据不会丢失,“随机” 的意思就是可以读写任意地址的数据。
SDRAM 集成度高、功耗低、成本低、适合做大容量存储,但是需要定时刷新来保证数据不会丢失。因此 SDRAM 适合用来做内存条。
SDRAM
目前已经发展到了第四代,分别为:
SDRAM
、
DDR SDRAM
、
DDR2 SDRAM
、
DDR3 SDRAM
、
DDR4 SDRAM。
3. DDR
DDR
内存是
SDRAM
的升级版本,
SDRAM
分为
SDR SDRAM
、
DDR SDRAM
、
DDR2 SDRAM
、
DDR3 SDRAM
、
DDR4 SDRAM
。可以看出
DDR
本质上还是
SDRAM。
DDR
全称是
Double Data Rate SDRAM
,也就是双倍速率 SDRAM。
SDRAM
在一个
CLK
周期传输一次数据,
DDR
在一个
CLK
周期传输两次数据,也就是在上升
沿和下降沿各传输一次数据,
因此 ,
DDR
的速度直接加倍!
比如
SDRAM
速度一般是
133~200MHz
,对应的传输速度就是
133~200MT/s
,在描述
DDR
速度的时候一般都使用
MT/s,也就是每秒多少兆次数据传输。
同样
133~200MHz 的频率,
DDR
的传输速度就变为了
266~400MT/S。
DDR2
在
DDR
基础上进一步增加预取
(prefetch)
,增加到了
4bit
,相当于比
DDR
多读取一
倍的数据,因此
DDR2
的数据传输速率就是
533~800MT/s。
DDR3
在
DDR2
的基础上将预取
(prefetch)
提高到
8bit
,因此又获得了比
DDR2
高一倍的传
输速率,因此在总线时钟同样为
266~400MHz
的情况下,
DDR3
的传输速率就是
1066~1600MT/S
。
正点原子的 I.MX6U-ALPHA 开发板上接了一个 256MB/512MB 的 DDR3L
,
16
位宽,型号为
NT5CC128M16JR/MT5CC256M16EP
,
nanya
公司出品的,分为对应
256MB
和
512MB
容量。
EMMC 核心板上用的 512MB 容量的 DDR3L,NAND 核心板上用的 256MB 容量的 DDR3L。
风语者!平时喜欢研究各种技术,目前在从事后端开发工作,热爱生活、热爱工作。